MOSFET特性的溫度依賴性MOS的閾值電壓VT隨溫度降低。另一方面，遷移率μn隨溫度降低，決定Ron的所有主要因素中，Ron隨著溫度升高。例如μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會(huì)翻倍。..
2021-07-17MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗一個(gè)功率MOSFET可以實(shí)現(xiàn)的最大開(kāi)關(guān)頻率依賴于開(kāi)關(guān)損耗。每個(gè)脈沖周期的能量損耗就像其他器件一樣是可以估算的，可通過(guò)在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中對(duì)V(t)和i(t)的乘積進(jìn)行積分計(jì)算。在開(kāi)通期間，可..
2021-07-16MOSFET的基本工作原理對(duì)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的基本結(jié)構(gòu)，要理解MOSFET的功能，或許要首先研究一下半導(dǎo)體表面。由于缺乏相鄰的原子，某種半導(dǎo)體的表面總是其理想晶格的一種被擾亂的形態(tài)。..
2021-07-16肖特基二極管的命名： 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流二極管（SchottkyRecTIfierDiode縮寫(xiě)成SR）， 也有人叫做：肖特基勢(shì)壘二極..
2021-07-12中芯國(guó)際表示，目前集成電路芯片制造供不應(yīng)求。公司2021年一季度整體產(chǎn)能利用率達(dá)到98.7%。根據(jù)公司今年的CAPEX支出計(jì)劃，擬擴(kuò)建1萬(wàn)片12英寸和4.5萬(wàn)片8英寸晶圓的產(chǎn)能，以滿足更多的客戶需求。中芯國(guó)際指..
2021-07-12根據(jù)集邦咨詢（TrendForce）發(fā)布的最新報(bào)告，2020年第一季受到新冠肺炎疫情沖擊，因各國(guó)邊境管制與封城措施使整體供應(yīng)鏈出現(xiàn)斷鏈情況，不論是客戶及分銷商庫(kù)存均偏低。第二季隨著供應(yīng)鏈逐步恢復(fù)供給，加上各國(guó)持..
2021-07-12集微網(wǎng)消息，7月10日，揚(yáng)杰科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，受市場(chǎng)需求增加影響，目前我公司在手訂單充足。公司根據(jù)市場(chǎng)供需及成本情況等因素確定提價(jià)情況，公司產(chǎn)品價(jià)格上半年有做上漲調(diào)整，總體呈漲價(jià)趨勢(shì)，產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)幅度大約為1..
2021-07-12LED電源中隔離與非隔離的區(qū)分能夠從以下幾個(gè)方面來(lái)區(qū)分：1.安全性隔離電源是運(yùn)用變壓器將220V電壓通過(guò)變壓器將電壓降到較低的電壓，然后再整流成直流電輸出供電運(yùn)用。由于變壓器的主線圈承受220V電壓，次級(jí)線圈只..
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