在20W到2000W的電源設計中，不同功率等級適合使用不同的拓撲結構。隨著功率的增大，拓撲結構的選擇會越來越傾向于效率更高、開關器件更強的方案。拓撲選擇需要考慮功率等級、效率要求、成本、以及應用場景中的電壓和電..
2024-09-26不同的電源拓撲結構會使用不同的功率器件來滿足各自的電氣特性、工作效率和功率需求。下面按照主要的電源拓撲結構，介紹常見的功率器件選擇。
2024-09-26工業(yè)電源，消費類電源不同拓撲結構有各自的優(yōu)勢和缺點，適合的場景也各有不同，設計時需要根據(jù)實際的應用需求、功率等級和成本等因素來選擇合適的拓撲。
2024-09-26在OBC的拓撲結構中，IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉換電路，IGBT在車載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實現(xiàn)高效的電能轉換，提升功率密度，并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。
2024-09-26碳化硅內(nèi)絕緣封裝結構是通過多層絕緣、導熱、和保護結構的集成，確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩(wěn)定運行。通過選擇合適的材料和封裝設計，可以最大程度地發(fā)揮碳化硅的高性能優(yōu)勢，使其廣泛應用于電動汽車、工業(yè)電力..
2024-09-24中國大陸的超結MOSFET市場有多家廠商參與，各品牌在技術能力、產(chǎn)品應用領域和市場定位上各具特色。華潤微、士蘭微等品牌在國內(nèi)市場具備廣泛的影響力，具有成熟的產(chǎn)品線，而揚杰科技、聞泰科技等在特定應用領域也有其獨特..
2024-09-24碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導通損耗、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點，廣泛應用于電力電子器件中。其制備過程主要涉及碳化硅材料的生長、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。
2024-09-24IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優(yōu)點結合在一起，在高效能電力電子應用中實現(xiàn)了高電流開關和低損耗操作。
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