穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和一般二極管類似，反向特性是在反向電壓小于反向擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，反向電阻器非常大，反向泄露電流很小。可是，當(dāng)反向電壓鄰近反向電壓的臨界點(diǎn)時(shí)，反向電流量陡然擴(kuò)大，稱之為穿透，在這里..
2020-08-27在半導(dǎo)體領(lǐng)域，臺(tái)積電、三星這幾年在新工藝方面非常激進(jìn)，相繼推出10nm、7nm等先進(jìn)制程。日前，臺(tái)積電在官方博客宣布，截止到今年7月，臺(tái)積電已生產(chǎn)了第10億顆功能完好、沒(méi)有缺陷的7nm芯片，是該公司新的里程碑。..
2020-08-21碳化硅二極管是一種適用于功率半導(dǎo)體的革命性材料，其物理屬性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于硅功率器件。重要特點(diǎn)包含榜樣性的電源開關(guān)特性、沒(méi)有反向恢復(fù)電流量、溫度基本上不容易危害電源開關(guān)個(gè)人行為和規(guī)范操作溫度范疇為-55℃至175℃..
2020-08-18肖特基二極管是一種快修復(fù)二極管，它屬一種功耗、快速半導(dǎo)體元器件。其明顯的特性為反向恢復(fù)時(shí)間非常短(能夠小到幾納秒)，正指導(dǎo)通壓力降僅0.4V上下。肖特基二極管多作為高頻率、底壓、大電流量整流二極管、續(xù)流二極..
2020-08-11VDSS,30VRDS(ON),5.4mΩ(max.)@VGS=10VRDS(ON),8.2mΩ(max.)@VGS=4.5VID,50ANote3PDFN3.3x3.3-8LSG30N04E使用先進(jìn)的Tren..
2020-08-10碳化硅二極管具有高抗壓、低損耗、效率高等特點(diǎn)，高頻率高溫，是同樣硅元器件抗壓的10倍，可以減少系統(tǒng)軟件規(guī)格和運(yùn)作成本費(fèi)。應(yīng)用SiC元器件會(huì)讓系統(tǒng)軟件成本費(fèi)降低，特性明顯提高，而且因?yàn)榻档土送鈭?chǎng)處于被動(dòng)元器件..
2020-08-05RS1J與ES1J的區(qū)別RS1J是普通的快恢復(fù)，ES1J是超快恢復(fù)，恢復(fù)時(shí)間差的比較大。虹揚(yáng)ES1J的TRR反向恢復(fù)時(shí)間是35ns虹揚(yáng)RS1J的TRR反向恢復(fù)時(shí)間是250ns電流電壓均為1A600V的快恢復(fù)二極..
2020-08-05穩(wěn)壓二極管的簡(jiǎn)單測(cè)試方法：這類方式只需一塊數(shù)字萬(wàn)用表就可以，方式是：將數(shù)字萬(wàn)用表放置Rx15k擋，并精確調(diào)零。紅直流電流表接被測(cè)穩(wěn)壓極管的正級(jí)，黑直流電流表接被測(cè)管的負(fù)級(jí)，待表針擺到一定部位時(shí)，從數(shù)字萬(wàn)用表..
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