通過了解雷擊浪涌的起因、采取防護(hù)措施、進(jìn)行雷擊浪涌測試以及注意相關(guān)事項，可以有效地應(yīng)對開關(guān)電源的雷擊浪涌問題。
2025-01-09揚(yáng)杰科技用于光伏逆變、充電樁、電源等的SiC MOSFET
2024-12-24揚(yáng)杰科技已成為行業(yè)內(nèi)少數(shù)集單晶硅片制造、芯片設(shè)計制造、器件設(shè)計封裝測試、終端銷售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體的規(guī)模企業(yè)。
2024-12-23肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)由陽極、陰極以及它們之間形成的肖特基勢壘構(gòu)成。其獨特的結(jié)構(gòu)和工作原理使其具有低功耗、超高速等特點，適用于特定的電子電路應(yīng)用。
2024-12-17多層外延工藝主要用于制造超結(jié)MOSFET器件。SEMIHOW：韓國品牌SEMIHOW的超結(jié)MOSFET產(chǎn)品采用多層外延工藝，主要面向工業(yè)電源和消費電子市場。
2024-12-14東莞市美瑞電子有限公司是虹揚(yáng)二極管和整流橋的代理商，提供相關(guān)產(chǎn)品的銷售和服務(wù)。
2024-12-13統(tǒng)懋半導(dǎo)體（MOSPEC）的肖特基二極管是其核心產(chǎn)品之一，具有優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用
2024-12-12碳化硅(SiC)MOSFET在新能源汽車中的應(yīng)用有顯著的優(yōu)勢，但也有許多需要注意的事項。熱管理設(shè)計?功率密度與散熱：SiCMOSFET的開關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低，但其高功率密度可能帶來熱管理挑戰(zhàn)。
2024-12-10Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：www.nlv.net.cn
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號版權(quán)所有 模仿必究
