公司概況

龍騰半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年7月13日，總部位于陜西省西安市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)鳳城十二路1號(hào)西安關(guān)中綜合保稅區(qū)A區(qū)龍騰產(chǎn)業(yè)園，是國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)、專精特新“小巨人”企業(yè)以及陜西省半導(dǎo)體及集成電路重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)。公司注冊(cè)資本約1.61億元，法定代表人為徐西昌，現(xiàn)有員工規(guī)模100-199人，參保人數(shù)118人。作為一家垂直整合（IDM）模式的功率半導(dǎo)體企業(yè)，其業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及測(cè)試全鏈條。

核心業(yè)務(wù)與技術(shù)實(shí)力

公司專注于新型功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，主要產(chǎn)品包括高壓超結(jié)MOSFET、屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、碳化硅MOSFET（SiCMOSFET）及功率模塊等，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子（如充電器、LED驅(qū)動(dòng)電源）、工業(yè)能源（如通信電源、服務(wù)器電源）和汽車電子（如充電樁、車載電源）領(lǐng)域。技術(shù)方面，公司擁有101項(xiàng)核心技術(shù)專利，主導(dǎo)制定了超結(jié)功率MOSFET國(guó)家行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（SJ/T9014.8.2-2018），并依托校企聯(lián)合研發(fā)平臺(tái)（如交大-龍騰先進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)研究院）推動(dòng)創(chuàng)新。

行業(yè)地位與榮譽(yù)

龍騰半導(dǎo)體在行業(yè)內(nèi)具有顯著影響力，連續(xù)多年入選“西安龍門(mén)榜TOP20”，并獲評(píng)工信部首批重點(diǎn)支持的專精特新“小巨人”企業(yè)。公司建有陜西省首條8英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)60萬(wàn)片，填補(bǔ)了陜西省在該領(lǐng)域的空白。其產(chǎn)品以高能效、高可靠性及高性價(jià)比著稱，在新能源汽車、光伏逆變器等新興市場(chǎng)表現(xiàn)突出。

研發(fā)與生產(chǎn)布局

公司擁有國(guó)內(nèi)一流的器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室和產(chǎn)品可靠性工程中心，通過(guò)“應(yīng)用+設(shè)計(jì)+工藝+材料+設(shè)備”融合創(chuàng)新模式推動(dòng)技術(shù)升級(jí)。西安關(guān)中綜合保稅區(qū)的龍騰產(chǎn)業(yè)園是其核心制造基地，覆蓋晶圓制造、封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。2025年，公司加速推進(jìn)8英寸功率半導(dǎo)體器件制造項(xiàng)目二期建設(shè)，進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)優(yōu)勢(shì)。

人才與團(tuán)隊(duì)

龍騰半導(dǎo)體注重技術(shù)人才隊(duì)伍建設(shè)，員工學(xué)歷以本科為主（占比62.5%），技術(shù)崗位涵蓋電子/電器、工廠生產(chǎn)、質(zhì)量管理等領(lǐng)域。薪酬結(jié)構(gòu)顯示，54.6%的崗位薪資集中在8-20K，西安地區(qū)平均工資約14.8K。公司通過(guò)校企合作和研發(fā)項(xiàng)目培養(yǎng)人才，持續(xù)提升技術(shù)創(chuàng)新能力。

近期動(dòng)態(tài)與未來(lái)規(guī)劃

2025年慕尼黑上海電子展上，龍騰半導(dǎo)體展示了IGBT模塊、SiCMOSFET等最新產(chǎn)品，凸顯其在汽車電子與工業(yè)能源領(lǐng)域的解決方案能力。未來(lái)，公司計(jì)劃深化全產(chǎn)業(yè)鏈布局，目標(biāo)成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件及系統(tǒng)解決方案提供商，并拓展國(guó)際市場(chǎng)。

龍騰半導(dǎo)體產(chǎn)品線布局與應(yīng)用領(lǐng)域

龍騰半導(dǎo)體聚焦功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，形成了覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)能源及汽車電子等多領(lǐng)域的產(chǎn)品矩陣，核心產(chǎn)品包括超結(jié)功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵雙極型晶體管等系列，并以高能效、高可靠性及高性價(jià)比為顯著優(yōu)勢(shì)。

核心產(chǎn)品系列

• 超結(jié)功率場(chǎng)效應(yīng)管（SuperJunction VDMOS）
  具備高壓、低導(dǎo)通電阻特性，適用于開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)電源等場(chǎng)景，是消費(fèi)電子和工業(yè)電源領(lǐng)域的關(guān)鍵器件。

• 屏蔽柵溝槽場(chǎng)效應(yīng)管（Shielding Gate VDMOS）
  通過(guò)溝槽結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)低柵極電荷和快速開(kāi)關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于充電器、適配器及服務(wù)器電源。

• 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
  兼具M(jìn)OSFET的驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單和雙極型晶體管的高耐壓、大電流特性，主要用于新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、工業(yè)變頻器等中大功率場(chǎng)景，市場(chǎng)需求增長(zhǎng)迅速。

• 快恢復(fù)二極管（FRD）
  作為高頻整流器件，搭配IGBT或MOSFET使用，提升電力電子變換器的效率，適用于電焊機(jī)、UPS等設(shè)備。

產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景分布

產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢(shì)

• 多場(chǎng)景適配性：覆蓋低壓至高壓全電壓等級(jí)，滿足從消費(fèi)級(jí)小功率到工業(yè)級(jí)大功率的多樣化需求。

• 國(guó)產(chǎn)化替代能力：依托自建的8英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線（年產(chǎn)60萬(wàn)片），實(shí)現(xiàn)核心器件自主可控，響應(yīng)國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)。

• 研發(fā)持續(xù)迭代：通過(guò)陜西省新型功率半導(dǎo)體工程研究中心等平臺(tái)，推動(dòng)產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)，例如在IGBT模塊和碳化硅器件領(lǐng)域的研發(fā)投入，強(qiáng)化汽車電子和新能源領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

市場(chǎng)拓展方向

目前，龍騰半導(dǎo)體的產(chǎn)品已在新能源汽車充電樁、車載充電機(jī)等汽車電子領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，并持續(xù)向光伏逆變器、工業(yè)變頻器等增長(zhǎng)型市場(chǎng)滲透，未來(lái)計(jì)劃進(jìn)一步拓展國(guó)際市場(chǎng)，提升全球份額。